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SK海力士:全球首次成功研发128层4D Nand闪存
作者: 发布日期:2019-07-05

(网讯)

据韩国《中央日报》6月27日报道,SK海力士宣布,该公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand凯发k8闪存芯片,将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。新产品比以往96层4D Nand芯片的生产效率提高了40%。

据SK hynix透露,该产品是业界最尖端的128层堆栈4D NAND,适用超均一垂直植入技术、高信赖多层薄膜构成技术、超高速低电力线路设计等技术。同时,该产品也是用TLC存储方式打造的NAND中,首次达到1TB容量的产品。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

6月26日,SK海力士宣布成功开发出“128层1Tb的TLC(Triple Level Cell)4D Nand闪存”,即将投入量产。距离该公司在去年10月开发出96层4D Nand闪存芯片过了8个月时间。据悉,最近DRAM和Nand闪存等存储芯片的价格不断下降,SK海力士今年第一季度已经出现亏损,现在似乎打算在Nand闪存领域寻找新的突破口。

据报道,相比传统的3D Nand闪存工程,4D Nand闪存解决了芯片设计过程中最为困扰的面积问题,大大提高了生产效率。SK海力士表示,“新产品使用同样的4D平台,通过对工程进行最佳优化,在比96层产品增加了32层储存单元的情况下,还将全部的工程程序减少了5%”。

SK海力士副总经理吴钟勋(音)表示,128层4D NAND将确保NAND项目的根本竞争力。该产品实现业界最多层堆栈、最高容量,将及时提供各种解决方案。

SK海力士计划从今年下半年开始正式开售128层4D闪存芯片,并接连推出各种产品解决方案。SK海力士还计划积极对云数据中心使用的企业级固态硬盘(SSD)、需要大容量存储芯片的5G移动通信智能手机市场展开攻略。



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